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SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G onsemi

mmbth10lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Technische Details SMMBTH10-4LT3G onsemi

Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 800MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236).

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SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G Hersteller : onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
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SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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SMMBTH10-4LT3G Hersteller : ONSEMI MMBTH10LT1-D.PDF Description: ONSEMI - SMMBTH10-4LT3G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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