| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.34 EUR |
| 100+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details SMUN5312DW1T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SMUN5312DW1T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SMUN5312DW1T1G | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SMUN5312DW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

