SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies
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Technische Details SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SipMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SN7002NH6327XTSA2 nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.4 EUR
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 33934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3 |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SipMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SN7002NH6327XTSA2 Produktcode: 170646
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SN7002NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
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