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SN7002NH6327XTSA2

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Produktcode: 170646
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
9000+0.063 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.092 EUR
30000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1361+0.13 EUR
1491+0.12 EUR
1737+0.096 EUR
2000+0.089 EUR
3000+0.082 EUR
12000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1361 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 34659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
621+0.29 EUR
1167+0.14 EUR
1439+0.12 EUR
1590+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 621 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 6416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
667+0.35 EUR
863+0.25 EUR
1163+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.092 EUR
30000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1361+0.13 EUR
1491+0.12 EUR
1737+0.096 EUR
2000+0.089 EUR
3000+0.082 EUR
12000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1361 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 34659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
621+0.29 EUR
1167+0.14 EUR
1439+0.12 EUR
1590+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 621 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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115+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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SN7002NH6327XTSA2 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 6416 Stücke:
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333+0.75 EUR
667+0.35 EUR
863+0.25 EUR
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