SN7002WH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SN7002WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SN7002WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.35 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT323 |
auf Bestellung 2277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-323-3 |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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SN7002WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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