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SODDB3T RHG

SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor


Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diacs 400mW, 34V, DIAC
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Technische Details SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor

Description: DIAC/SIDAC 30-34V 2A SOD-123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Breakover: 30 ~ 34V, Current - Breakover: 15 µA, Supplier Device Package: SOD-123, Part Status: Active, Current - Peak Output: 2 A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor Динистор (DIAC), 400MW, 34V V SOD-123 Діністори (DIAC)
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SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIAC/SIDAC 30-34V 2A SOD-123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 30 ~ 34V
Current - Breakover: 15 µA
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
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SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIAC/SIDAC 30-34V 2A SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 30 ~ 34V
Current - Breakover: 15 µA
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Динистор (DIAC), 400MW, 34V V SOD-123 Діністори (DIAC)
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIAC/SIDAC 30-34V 2A SOD-123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 30 ~ 34V
Current - Breakover: 15 µA
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 30 ~ 34V
Current - Breakover: 15 µA
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
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