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Technische Details SP8J5FRATB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SP8J5FRATB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SP8J5FRATB | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SP8J5FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP |
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SP8J5FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SP8J5FRATB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -28A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 42mΩ Gate charge: 25nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
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SP8J5FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP |
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| SP8J5FRATB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -28A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 42mΩ Gate charge: 25nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
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