Produkte > ROHM > SP8K41HZGTB

SP8K41HZGTB ROHM


sp8k41hzgtb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SP8K41HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SP8K41HZGTB nach Preis ab 1.71 EUR bis 6.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor sp8k41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor sp8k41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.65 EUR
57+3.06 EUR
100+2.55 EUR
200+2.37 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.2 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB ROHM sp8k41hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.65 EUR
57+3.06 EUR
100+2.55 EUR
200+2.37 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.2 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH