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SP8M41HZGTB

SP8M41HZGTB Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SP8M41HZGTB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M41HZGTB SP8M41HZGTB Rohm Semiconductor sp8m41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8M41HZGTB SP8M41HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SP8M41HZGTB SP8M41HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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