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SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB ROHM

sp8m4hzgtb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1450 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
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Technische Details SP8M4HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
57+2.98 EUR
63+2.68 EUR
100+2.21 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
57+2.92 EUR
63+2.57 EUR
100+2.09 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+3.03 EUR
100+2.62 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.01 EUR
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1220 Stücke:
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59+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.94 EUR
50+3.02 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM sp8m4hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1450 Stücke:
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40+6.4 EUR
58+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 9A; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1220 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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SP8M4HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2415 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
38+4.63 EUR
57+2.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SP8M4HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2415 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
38+4.63 EUR
57+2.92 EUR
63+2.57 EUR
100+2.09 EUR
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MOSFETs AECQ
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10+3.03 EUR
100+2.62 EUR
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1000+2.18 EUR
2500+2.01 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
59+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SP8M4HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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4+6.06 EUR
10+3.94 EUR
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SP8M4HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.4 EUR
58+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
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SP8M4HZGTB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 9A; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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