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SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB ROHM

sp8m4hzgtb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.02 EUR
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Technische Details SP8M4HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1220 Stücke:
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58+3.07 EUR
100+2.75 EUR
250+2.58 EUR
500+2.44 EUR
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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1+5.24 EUR
10+3.5 EUR
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500+2.24 EUR
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2500+2.05 EUR
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2490 Stücke:
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45+5.49 EUR
50+3.53 EUR
100+3.14 EUR
200+2.31 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.89 EUR
2000+1.63 EUR
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.71 EUR
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500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM sp8m4hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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37+6.82 EUR
63+3.74 EUR
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SP8M4HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.07 EUR
100+2.75 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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SP8M4HZGTB
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Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1499 Stücke:
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37+6.82 EUR
63+3.74 EUR
100+2.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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