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SP8M51HZGTB

SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor sp8m51hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM sp8m51hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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100+3.03 EUR
102+2.12 EUR
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SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor sp8m51hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
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SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM sp8m51hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SP8M51HZGTB
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Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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100+1.77 EUR
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SP8M51HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 393 Stücke:
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100+3.03 EUR
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SP8M51HZGTB sp8m51hzgtb-e.pdf
SP8M51HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.74 EUR
100+2.4 EUR
200+2.3 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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SP8M51HZGTB datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M51HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.32 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SP8M51HZGTB datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M51HZGTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.58 EUR
10+2.26 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.45 EUR
5000+1.39 EUR
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SP8M51HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
77+3.03 EUR
102+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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