SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 2.08 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 39W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm.
Weitere Produktangebote SPA06N80C3XKSA1 nach Preis ab 1.16 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SPA06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
![SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf](/images/adobe-acrobat.png) Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
auf Bestellung 7627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA06N80C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPA06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 39W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPA06N80C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.15 EUR |
| 50+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2000+ | 1.26 EUR |
| 5000+ | 1.16 EUR |
| SPA06N80C3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPA06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
Description: INFINEON - SPA06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 381 Stücke:
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