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SPA17N80C3XKSA1

SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies

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Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPA17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
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SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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