SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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117+ | 4.25 EUR |
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Technische Details SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote SPA21N50C3XKSA1 nach Preis ab 3.31 EUR bis 7.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPA21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |