Technische Details SPD03N50C3
- MOSFET, N, TO-252
- Transistor Polarity:N Channel
- Max Current Id:3.2A
- Max Voltage Vds:560V
- On State Resistance:1.4ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:38W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-252
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-252
- Cont Current Id:3.2A
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Power MOSFET
- Typ Voltage Vds:560V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote SPD03N50C3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPD03N50C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD03N50C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD03N50C3 | Hersteller : INFINEON |
07+ TO-252/D-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPD03N50C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPD03N50C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C3 |
Produkt ist nicht verfügbar |