SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 128W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Weitere Produktangebote SPD15P10PLGBTMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 525283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 23766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 4147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2 |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 6513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 176+ | 0.83 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.21 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.22 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.22 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 307+ | 1.79 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| 10000+ | 1.25 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 307+ | 1.79 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.45 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 2.44 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 47+ | 3.13 EUR |
| 65+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2
MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.82 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 2500+ | 1.25 EUR |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SPD15P10PLGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.15 EUR |