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SPD15P10PLGBTMA1

SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies

spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92CF4C7E46F1CC&compId=SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=402130b95236a3b71feabee71e64b44e6c258ec1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92CF4C7E46F1CC&compId=SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=402130b95236a3b71feabee71e64b44e6c258ec1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
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auf Bestellung 4970 Stücke:
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SPD15P10PL-DS-v01_05-en.pdf MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2
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2+2.34 EUR
10+2.02 EUR
100+1.64 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4147 Stücke:
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6+3.04 EUR
10+2.44 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd_p15p10pl_rev1.3.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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