SPD18P06P G Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 250+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
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Technische Details SPD18P06P G Infineon Technologies
Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote SPD18P06P G nach Preis ab 2.14 EUR bis 2.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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SPD18P06P G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.6A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| SPD18P06PG | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SPD18P06PG |
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auf Bestellung 5638 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPD18P06P G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SPD18P06PG |
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Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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| 20+ | 2.14 EUR |
| SPD18P06PG |
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