SPD18P06PG


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Produktcode: 129215
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineon_spd18p06p_ds_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2329 Stücke:
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SPD18P06P G SPD18P06P G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SPD18P06PG Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD18P06P G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
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SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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