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SPD18P06PG

Name: SPD18P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1719595-5
Price: 1700.00 EUR
Availability: InStock

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3

Produktcode: 129215

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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2500+	0.68 EUR

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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2500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9650 Stücke:

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Anzahl	Preis
160+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 160

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
152+	0.96 EUR
153+	0.91 EUR
171+	0.79 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 152

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
140+	1.04 EUR
152+	0.92 EUR
153+	0.88 EUR
171+	0.76 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 140

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
42+	1.72 EUR
59+	1.22 EUR
65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
80+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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SPD18P06P G

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
77+	1.9 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.62 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 77

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SPD18P06P G

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf

MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

auf Bestellung 3770 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.95 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

auf Bestellung 53553 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	2.53 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.7 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.62 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5203 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD18P06PG

Hersteller : Infineon

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
20+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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SPD18P06PG

auf Bestellung 5638 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SPD18P06PGBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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SPD18P06PG

Hersteller : Infineon Technologies

Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

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