SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.
Weitere Produktangebote SPD18P06PGBTMA1 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.26 EUR
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.6A Power dissipation: 80W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.6A Power dissipation: 80W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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SPD18P06P G | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 |
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SPD18P06P G | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 11327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD18P06PG | Hersteller : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| SPD18P06PG |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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SPD18P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD18P06PG | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
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SPD18P06PG Produktcode: 129215 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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