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SPD18P06PG

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
595+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
595+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
595+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.22 EUR
144+0.99 EUR
176+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.72 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
72+1 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.9 EUR
100+1.79 EUR
250+1.68 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.16 EUR
99+1.46 EUR
143+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
auf Bestellung 50433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SPD18P06PG Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
595+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
595+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
595+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
120+1.22 EUR
144+0.99 EUR
176+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
42+1.72 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
72+1 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SPD18P06P G infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06P G
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
77+1.9 EUR
100+1.79 EUR
250+1.68 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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SPD18P06P G Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf
SPD18P06P G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.95 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
68+2.16 EUR
99+1.46 EUR
143+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
auf Bestellung 50433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.62 EUR
10+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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