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SPD30P06PGBTMA1

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Produktcode: 211124
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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441+1.23 EUR
500+1.07 EUR
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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100000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 441
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 913 Stücke:
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36+2 EUR
45+1.6 EUR
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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58+2.52 EUR
97+1.45 EUR
126+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
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1+2.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.87 EUR
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3465 Stücke:
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6+3.2 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5003 Stücke:
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD30P06PGBTMA1 Hersteller : Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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