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SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 343 Stücke:
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231+0.63 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 47500 Stücke:
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2500+0.63 EUR
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
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441+1.24 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 124284 Stücke:
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441+1.24 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
100000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.97 EUR
43+1.67 EUR
49+1.47 EUR
71+1.02 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.55 EUR
97+1.5 EUR
126+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.87 EUR
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
231+0.63 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
441+1.24 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 124284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
441+1.24 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
100000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
37+1.97 EUR
43+1.67 EUR
49+1.47 EUR
71+1.02 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
58+2.55 EUR
97+1.5 EUR
126+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+2.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+3.2 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SPD30P06PGBTMA1 INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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