SPP02N80C3


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SPP02N80C3 Hersteller : INFINEON Infineon-SPP02N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57
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SPP02N80C3 Hersteller : Infineon Infineon-SPP02N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57 N-MOSFET 800V 2A TO220 CoolMOS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SPP02N80C3 SPP02N80C3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SPP02N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
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SPP02N80C3 SPP02N80C3 Hersteller : Infineon Technologies SPP02N80C3_rev2.91-98590.pdf MOSFET N-Ch 800V 2A TO220-3 CoolMOS C3
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