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SPP04N50C3XKSA1

SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-SPP_A04N50C3-DS-v02_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42cfc9247e4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Technische Details SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPP04N50C3XKSA1 SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_A04N50C3_DS_v02_09_en-1227720.pdf MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
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SPP04N50C3XKSA1 SPP04N50C3XKSA1 INFINEON 1686014.pdf Description: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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SPP04N50C3XKSA1 Infineon_SPP_A04N50C3_DS_v02_09_en-1227720.pdf
SPP04N50C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
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SPP04N50C3XKSA1 1686014.pdf
SPP04N50C3XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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