
SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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24+ | 3.03 EUR |
26+ | 2.76 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
250+ | 2 EUR |
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Technische Details SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Power dissipation: 83W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SPP06N80C3 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SPP06N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP06N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP06N80C3 | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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