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SPP06N80C3

SPP06N80C3 Infineon Technologies

Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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Technische Details SPP06N80C3 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Power dissipation: 83W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPP06N80C3 SPP06N80C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP06N80C3 SPP06N80C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP06N80C3 Hersteller : Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
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