SPP11N80C3

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Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf
Produktcode: 111118
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
JHGF: THT
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
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Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en-1227668.pdf MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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Hersteller: Hitano
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Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
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Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 11325 Stück
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Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 210/275
S.var., V: 330(297-363)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 550@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,6
Kapazität, pF: 610
Größe: 14D
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