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SPP17N80C3

Produktcode: 34777
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Hersteller:
Gehäuse: PG-TO220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/88
Montage: THT
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details SPP17N80C3

  • MOSFET, N, COOLMOS, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Current Id:17A
  • Max Voltage Vds:800V
  • On State Resistance:0.29ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:208W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:17A
  • Cont Current Id @ 25`C:17A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:208W
  • Max Voltage Vgs th:3.9V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:208W
  • Pulse Current Idm:51A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:800V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.77 EUR
35+2.49 EUR
50+2.19 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
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Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,9 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 200 А
auf Bestellung: 349 St.
  • 349 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 А
Frequenz Fosc, kHz: 50 кГц
auf Bestellung: 134 St.
  • 134 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 250 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 40 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,86 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
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100+2.81 EUR
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IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 8,2...30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung: 311 St.
  • 311 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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