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SPP17N80C3XKSA1

SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
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SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003614937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
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SPP17N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6773 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+4.25 EUR
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SPP17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
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Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+10.28 EUR
50+5.37 EUR
100+4.89 EUR
500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPP17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
SPP17N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+10.58 EUR
10+6.94 EUR
100+5.11 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.06 EUR
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SPP17N80C3XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 487 Stücke:
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24+10.75 EUR
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