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SPP20N60C3

SPP20N60C3 Infineon

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 25463
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
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Роман2024-07-13 11:14:22

Опір 0.4 Ом ємність затвору 6540пФ, проти даташиту 0.19 Ом і 2400пФ. На граничну напругу і швидкодію тест не робився, але й цього достатньо.

Defects: Невідповідає заявленим параметрам

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPP20N60C3 SPP20N60C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP20N60C3 SPP20N60C3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP20N60C3 Hersteller : Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
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SPP20N60C3 SPP20N60C3 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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SPP20N60C3 SPP20N60C3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
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Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
білий
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UC3842BN
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description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
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UC3842BD1013TR
Produktcode: 40721
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CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1000mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40…+150°C
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TW-38 Изоляционная втулка для TO-220, 6,1мм
Produktcode: 180121
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category6_TW-Series-01.png
TW-38 Изоляционная втулка для TO-220, 6,1мм
+1
Hersteller: KangYang
Isoliermaterialien
Gruppe: Інші ізоляційні матеріали
Beschreibung: Шайба для встановлення на транзистор для запобігання короткому замиканню між кришкою транзистора та радіатором.
білий
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DC-DC Wandler Step-Down-Schaltregler MP2307
Produktcode: 104815
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datasheetьз2307.pdf
DC-DC Wandler Step-Down-Schaltregler MP2307
Hersteller: China
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Spannung. in., V: 4.75 - 23
Spannung. out,VDC: 1.0 - 17 (einstellbar)
Maximaler Ausgangsstrom: 3A Hohepunkt, 1.8A Langzeit
Gehäuse, Abmessungen, mm: 17x11x3.8mm
Temperatur, °C: -40....+85C
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