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SPP20N60C3XKSA1

SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies

infineonsppia20n60c3dsen.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 208W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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43+3.9 EUR
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx20N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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3+8.54 EUR
50+4.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
auf Bestellung 1446 Stücke:
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1+8.79 EUR
10+5.76 EUR
100+4.3 EUR
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 INFINEON SPx20N60C3.pdf Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
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SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia20n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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50+4.38 EUR
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1000+3.05 EUR
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Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
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26+9.84 EUR
41+5.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
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