SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 4+ | 17.88 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
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Technische Details SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 560V, Drain current: 13.1A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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SPP21N50C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP21N50C3 Produktcode: 116944 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP21N50C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 21A TO220-3 CoolMOS C3 |
Produkt ist nicht verfügbar |