
SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMos, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPP21N50C3XKSA1 nach Preis ab 2.54 EUR bis 6.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SPP21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPP21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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SPP21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPP21N50C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP21N50C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
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