SPP24N60C3XKSA1
Produktcode: 192845
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3 |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPP24N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.08 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 4.75 EUR |
| 1000+ | 4.7 EUR |
| 2500+ | 4.63 EUR |
| SPP24N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 9.5 EUR |
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| 22UF 63v K50-35 Produktcode: 209540
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| 10UF 63v K50-35 Produktcode: 209539
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| 220UF 25v K50-35 Produktcode: 209538
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| 47uF 25V RTZ 5x11mm (low esr) (RTZ1E470M0511-LEAGUER) (электролитический конденсатор низкоимпедансный) Produktcode: 180526
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Hersteller: Leaguer
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: RTZ
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 5x11mm
№ 8: 4000 годин
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Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: RTZ
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 5x11mm
№ 8: 4000 годин
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