SPP70N10L
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Technische Details SPP70N10L
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote SPP70N10L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP70N10L | Infineon |
MOSFET N-канал, 100В, 70А, TO-220 Транзистори |
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SPP70N10L | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SPP70N10L | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 |
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| SPP70N10L |
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-канал, 100В, 70А, TO-220 Транзистори
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| SPP70N10L |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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