
SPW17N80C3 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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1+ | 8.03 EUR |
10+ | 6.62 EUR |
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Technische Details SPW17N80C3 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 11A, Power dissipation: 227W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SPW17N80C3 nach Preis ab 5.66 EUR bis 8.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SPW17N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPW17N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
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SPW17N80C3 Produktcode: 38747
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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