SPW17N80C3


Produktcode: 38747
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details SPW17N80C3

  • MOSFET, N, COOLMOS, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:800V
  • On State Resistance:0.29ohm
  • Power Dissipation:208W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • No. of Pins:3
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:17A
  • Cont Current Id @ 25`C:17A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:208W
  • Max Voltage Vgs th:3.9V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:208W
  • Pulse Current Idm:51A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:800V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.24 EUR
18+4.78 EUR
21+4.07 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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SPW17N80C3 SPW17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en.pdf description MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+7.71 EUR
100+5.68 EUR
480+5.02 EUR
1200+4.49 EUR
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SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
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SPW17N80C3 description Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
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