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SPW20N60C3 TO-247 Infineon


Produktcode: 30183
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Montage: THT
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1+5.16 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.87 EUR
25+3.47 EUR
28+3.08 EUR
30+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SPW20N60C3 SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPW20N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+6.95 EUR
100+5.11 EUR
480+4.57 EUR
1200+4.05 EUR
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SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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