SPW32N50C3 Infineon
Hersteller: Infineon
N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3
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Technische Details SPW32N50C3 Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-247, Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 В, Drain-Strom Idd, A: 32 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/170, Montage: THT.
Weitere Produktangebote SPW32N50C3 nach Preis ab 3.96 EUR bis 4.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SPW32N50C3 Produktcode: 56836
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Infineon |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 В Drain-Strom Idd, A: 32 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/170 Montage: THT |
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| SPW32N50C3 | Infineon |
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SPW32N50C3 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 |
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 В
Drain-Strom Idd, A: 32 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/170
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 В
Drain-Strom Idd, A: 32 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/170
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
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