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SPW47N60C3

SPW47N60C3 Infineon

Produktcode: 43153
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6800/24
Montage: THT
auf Bestellung 94 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.28 EUR
10+14.76 EUR
30+14.05 EUR
120+12.63 EUR
240+11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SPW47N60C3 SPW47N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPW47N60C3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.87 EUR
10+15.93 EUR
100+13.61 EUR
480+12.79 EUR
1200+11.71 EUR
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SPW47N60C3 Infineon N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPW47N60C3 Infineon_SPW47N60C3_DS_v02_06_en.pdf
SPW47N60C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW47N60C3
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 12 А
h21: 20000
Bemerkung: Дарлінгтон
Montage: THT
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BDW94C (TO-220, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung 211 St.:
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100+0.43 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 V
verfügbar: 6074 St.
  • 65 St. - stock Köln
  • 6009 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.058 EUR
100+0.052 EUR
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HEF4017BP
Produktcode: 15140
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description HEF4017BP.pdf
HEF4017BP
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Zähler 5-ST Johnson- Zähler
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 3...15 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Zähler
auf Bestellung 48 St.:
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