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SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sq1902el.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ1902AEL-T1_GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq1902el.pdf Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
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Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10750 Stücke:
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SQ1902AEL-T1_GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq1902el.pdf Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
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Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQ1902AEL-T1_GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq1902ael.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SQ1902AEL-T1_GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq1902ael.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
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SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq1902el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq1902el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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