SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SQ1902AEL-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQ1902AEL-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 8294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQ1902AEL-T1_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 8294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ1902AEL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQ1902AEL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
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Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)