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SQ2318AES-T1_BE3

SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2318aes.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
21000+0.33 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote SQ2318AES-T1_BE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ2318AES-T1"BE3 SQ2318AES-T1"BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 55137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
223+1.05 EUR
257+0.83 EUR
313+0.69 EUR
345+0.62 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay / Siliconix sq2318aes.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
auf Bestellung 260923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 48297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2318AES-T1_BE3 Vishay sq2318aes.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.65 EUR
269+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
25000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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SQ2318AES-T1"BE3
SQ2318AES-T1"BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
auf Bestellung 260923 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQ2318AES-T1_BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.65 EUR
269+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
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10000+0.49 EUR
25000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH