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SQ2319ADS-T1_BE3

SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2319ads.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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SQ2319ADS-T1_BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sq2319ads.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
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SQ2319ADS-T1_BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf SQ2319ADS-T1_BE3
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SQ2319ADS-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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