SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Weitere Produktangebote SQ2319CES-T1_GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQ2319CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 30825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2319CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2319CES-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 30825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.29 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| SQ2319CES-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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| 174+ | 1.44 EUR |
| 283+ | 0.82 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |