SQ2319CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.24 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details SQ2319CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Weitere Produktangebote SQ2319CES-T1_GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQ2319CES-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2319CES-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 286+ | 0.81 EUR |
| 334+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1500+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |