SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 254+ | 0.92 EUR |
| 364+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ2361CEES-T1_BE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQ2361CEES-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2361CEES-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ2361CEES-T1_BE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 254+ | 0.92 EUR |
| 364+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| SQ2361CEES-T1_BE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |