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SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2398es.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.42 EUR
15000+0.4 EUR
21000+0.39 EUR
30000+0.38 EUR
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Technische Details SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQ2398ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq2398es.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 71550 Stücke:
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3+1.4 EUR
10+0.95 EUR
100+0.68 EUR
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3000+0.37 EUR
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SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 97669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY sq2398es.pdf Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
167+1.39 EUR
256+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY sq2398es.pdf Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
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SQ2398ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 71550 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.68 EUR
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3000+0.37 EUR
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SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
167+1.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
167+1.39 EUR
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500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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