SQ3425CEV-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ3425CEV-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 5W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote SQ3425CEV-T1_GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ3425CEV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 2714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
SQ3425CEV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 2714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQ3425CEV-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.55 EUR |
| 263+ | 0.88 EUR |
| 409+ | 0.52 EUR |
| 538+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| SQ3425CEV-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.55 EUR |
| 263+ | 0.88 EUR |
| 409+ | 0.52 EUR |
| 538+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |


