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SQ3481EV-T1_BE3

SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
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Technische Details SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7.5A, Gate charge: 23.5nC, On-state resistance: 70mΩ, Power dissipation: 4W, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -30A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

Weitere Produktangebote SQ3481EV-T1_BE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ3481EV-T1_BE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 23.5nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -30A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SQ3481EV-T1_BE3 SQ3481EV-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
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SQ3481EV-T1_BE3 SQ3481EV-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
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SQ3481EV-T1_BE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 23.5nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -30A
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