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Technische Details SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7.5A, Gate charge: 23.5nC, On-state resistance: 70mΩ, Power dissipation: 4W, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -30A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SQ3481EV-T1_BE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Gate charge: 23.5nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -30A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Gate charge: 23.5nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -30A |
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