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SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4064ey.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4064EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0165 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 6.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm.

Weitere Produktangebote SQ4064EY-T1_BE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 4.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4064ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
13+1.62 EUR
100+1.13 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors sq4064ey.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 31640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.01 EUR
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SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 VISHAY sq4064ey.pdf Description: VISHAY - SQ4064EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0165 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
121+1.93 EUR
135+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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SQ4064EY-T1_BE3 SQ4064EY-T1_BE3 VISHAY sq4064ey.pdf Description: VISHAY - SQ4064EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0165 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.32 EUR
121+1.93 EUR
135+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQ4064EY-T1_BE3 sq4064ey.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs N-CHANNEL 60V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4064EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0165 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
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121+1.93 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4064EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0165 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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auf Bestellung 2368 Stücke:
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