SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 3.9W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SQ4282EY-T1_BE3 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V |
auf Bestellung 21028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC |
auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |