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SQ4470EY-T1_BE3 VISHAY



Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Technische Details SQ4470EY-T1_BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 7.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ4470EY-T1_BE3 SQ4470EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 60V
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SQ4470EY-T1_BE3 SQ4470EY-T1_BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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SQ4470EY-T1_BE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 60V
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SQ4470EY-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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