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SQ4470EY-T1_GE3

SQ4470EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sq4470ey.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQ4470EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq4470ey.pdf Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
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SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
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SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
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