Produkte > VISHAY SILICONIX > SQ4917EY-T1_BE3
SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4917ey.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SQ4917EY-T1_BE3 nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.70 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
135+1.09 EUR
136+1.04 EUR
137+1.00 EUR
200+0.94 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
118+1.24 EUR
119+1.19 EUR
120+1.14 EUR
136+0.97 EUR
250+0.87 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+1.39 EUR
110+1.28 EUR
250+1.19 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.48 EUR
118+1.20 EUR
119+1.14 EUR
120+1.09 EUR
136+0.93 EUR
250+0.83 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
auf Bestellung 41589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
10+1.94 EUR
100+1.53 EUR
250+1.49 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.70 EUR
10+2.37 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH