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SQ4946CEY-T1_BE3

SQ4946CEY-T1_BE3 Vishay Semiconductors


Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V 175C MOSFET
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Technische Details SQ4946CEY-T1_BE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ4946CEY-T1_BE3 SQ4946CEY-T1_BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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SQ4946CEY-T1_BE3 SQ4946CEY-T1_BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
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SQ4946CEY-T1_BE3
SQ4946CEY-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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SQ4946CEY-T1_BE3
SQ4946CEY-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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