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SQ7415CENW-T1_GE3

SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq7415cenw.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.69 EUR
9000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 53W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 53W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Weitere Produktangebote SQ7415CENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ7415CENW-T1"GE3 SQ7415CENW-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1"GE3 - P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3537
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
165+1.42 EUR
243+0.88 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SQ7415CENW-T1_GE3 SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay sq7415cenw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 6858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7415CENW-T1_GE3 SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 47845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
50+1.25 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SQ7415CENW-T1_GE3 SQ7415CENW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014136908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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SQ7415CENW-T1_GE3 SQ7415CENW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014136908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQ7415CENW-T1"GE3
SQ7415CENW-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1"GE3 - P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3537
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.9 EUR
165+1.42 EUR
243+0.88 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SQ7415CENW-T1_GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 6858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
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1000+0.77 EUR
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SQ7415CENW-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 47845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
50+1.25 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7415CENW-T1_GE3 VISH-S-A0014136908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ7415CENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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SQ7415CENW-T1_GE3 VISH-S-A0014136908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ7415CENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
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