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SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqa401cejw.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Weitere Produktangebote SQA401CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 6.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqa401cejw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 29084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.71 EUR
100+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa401cejw.pdf Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
500+3.51 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa401cejw.pdf Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
44+5.33 EUR
100+3.83 EUR
500+3.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
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SQA401CEJW-T1_GE3 sqa401cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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36+6.95 EUR
44+5.33 EUR
100+3.83 EUR
500+3.51 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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